中韩存储芯片差距骤缩:HBM 只剩三年、NAND 仅一年
robleclerc · x · 2026-09-16
韩国半导体产业协会数据显示，韩中存储芯片技术差距已从五年以上缩至一代以内：HBM 差距三年、DRAM 两年、NAND 闪存仅一年。高利润的 DRAM 正加速中国厂商追赶。
- CXMT 正与阿里旗下平头哥等本土 fabless 公司测试第五代 HBM3E，最早明年推出相关产品；HBM3E 仅落后三星、SK 海力士、美光量产的 HBM4 一代
- 汉阳大学教授 Baek Seo-in 评价：中国正把两三年的进步压缩到一年内，政府支持、庞大内需市场和研发生态共同发力
转发者 Rob Leclerc 加了鹰派判断：如果在中国取得算力主导地位之前美国还没拿到 ASI，「一切都完了」。
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