北方华创展示 64 层 3D DRAM 关键刻蚀工艺，绕开 EUV 延续密度扩展

pstAsiatech · x · 2026-09-07

引用帖称中国在无 EUV 光刻条件下尝试实现 3D DRAM：北方华创（Naura）演示了 64 层 3D DRAM 的关键刻蚀工艺，从 64 层 Si/SiGe 叠层中选择性去除硅锗层并保持硅结构完好，类似 NAND 当年从 2D 转向垂直堆叠的路径。报告性能数据强劲：SiGe 对硅的选择比超 500:1，每轮循环硅损耗低于 1 nm，64 层结构均匀性超过 95%。深度均匀刻蚀是 3D DRAM 的关键，这或使中国在没有 EUV 的情况下继续扩展 DRAM 密度。