长鑫 3D DRAM 路线图曝光:2028 风险量产,2029 量产
zephyr_z9 · x · 2026-09-04
爆料称长鑫存储(CXMT)的 3D DRAM 路线图显示:2028 年风险生产、2029 年大规模量产。
配套工艺方面,Naura(北方华创)已开发出基于氟化学的均匀选择性循环两步刻蚀方法,用于 SiGe/Si 多层结构的 3D DRAM 刻蚀,并已在 64 层堆叠的 SiGe/Si 双层结构上完成验证(推测与 CXMT 相关)。这被視为中国存储产业链向 3D DRAM 演进的关键信号。
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