三星为英伟达改推8层HBM4E，速率要求提高20%
创业邦 · wechat · 2026-09-01
产业日报摘要：一、消息称三星正按英伟达要求开发 8 层 HBM4E，较原计划12/16层方案降低堆叠高度，英伟达提出的速率规格为 17–18Gbps，比三星初期样品的 14.4Gbps 高约 20%，将用于 NVHBM。二、SK 海力士正研究赴日建存储芯片合资厂，董事长崔泰源称「正在日本各地选址，电力和水资源充足的地方都可以」。
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