中国基于 IGZO 的 3D-DRAM 取得进展，逼近 3D NAND 制造工艺
xiaosun86 · x · 2026-08-25
推文指出，与其只关注 NIPS、ICML 等机器学习顶会，AI 从业者也应关注 IEEE EDL、TED、IEDM、VLSI 等硬件会议。引用的 DrFrederickChen 的内容显示，中国在基于堆叠 IGZO 晶体管的 BEOL 3D-DRAM 方面取得了显著进展，最新版本比以往的外延多层方法更接近 3D NAND 的制造风格。
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