国产刻蚀设备冲到90:1深宽比，已进入客户验证
zephyr_z9 · x · 2026-07-26
- 帖子引用并配图说明，国内某半导体设备厂商在介电刻蚀方向进展明显，称其90:1 超高深宽比低温刻蚀设备已交付客户验证。
- 原帖观点是：除 DUV 光刻设备外，中国在半导体设备国产化上已经覆盖了大部分环节，甚至连 HARC etch 也接近自给。
- 配图中的公司表述进一步强调，这类超高深宽比记忆体刻蚀需求已被其产品线覆盖，技术指标对标国际一线水平。
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