光读出相变存储有 40 dB 损耗，2D VCSEL 阵列是亮点
jwt0625 · x · 2026-07-23
这条帖子先吐槽一种基于相变材料的存储方案：光读出链路有大约 40 dB 的插入损耗，端口间还有 10 dB 波动，再叠加 20 nm 带宽内约 5 dB 的变化，说明读出一致性很差。
但它也指出一个亮点：该方案把 2D 可寻址 VCSEL 阵列 与“memory”芯片做了 flip-chip 封装，整体集成方式很酷。问题在于写入单比特的能耗仍然过高，所以更像是“封装和架构很亮眼、写入效率还不够”的硬件研究进展。
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