HBM扩产受制于封装瓶颈
tengyanAI · x · 2026-07-19
- 这条在讲 HBM 内存扩产的物理瓶颈：即使客户从 SK hynix 分散到三星、Micron，也只是把同一个 substrate 约束分散到更多买家，并不会真正缓解压力。
- 贴文还指出 ISC 的测试插座在 HBM 堆叠 DRAM 认证里是关键卡点，三家晶圆厂每增加一次 wafer start，都会消耗更多 sockets。
- 由于 substrate 产能扩张周期大约 24 个月，供给曲线非常缺乏弹性，所以 HBM 溢价虽然从峰值回落，但并没有“崩掉”。
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