HBM扩产受制于封装瓶颈
tengyanAI · x · 2026-07-19
- 这条在讲 **HBM 内存扩产的物理瓶颈**：即使客户从 SK hynix 分散到三星、Micron，也只是把同一个 substrate 约束分散到更多买家，并不会真正缓解压力。 - 贴文还指出 **ISC 的测试插座**在 HBM 堆叠 DRAM 认证里是关键卡点，三家晶圆厂每增加一次 wafer start，都会消耗更多 sockets。 - 由于 substrate 产能扩张周期大约 **24 个月**，供给曲线非常缺乏弹性，所以 HBM 溢价虽然从峰值回落，但并没有“崩掉”。